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半導(dǎo)體薄膜基片

以 InAs 單晶為襯底可以生長 InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等異質(zhì)結(jié)材料,制作波長 2～14μm的紅外發(fā)光器件，...

GaAs材料具有很高的電子遷移率、寬禁帶、直接帶隙，消耗功率低的特性，廣泛應(yīng)用與高頻及無線通訊，適合于制作IC器件，主要應(yīng)用于光電子...

GaSb單晶由于其晶格常數(shù)與帶系在 0.8~4.3um寬光譜范圍內(nèi)的各種三元和四元，III-V族化合物固熔體的晶格常數(shù)匹配，因?yàn)镚a...

磷化銦（InP）單晶基片材料作為最重要的化合物半導(dǎo)體材料之一,是生產(chǎn)光通訊中InP基激光二極管（LD），發(fā)光二極管（LED）和光探測...

鍺（Ge）基片用途：制作半導(dǎo)體器件，紅外光學(xué)器件，及太陽能電池襯底等材料。...

硅（Si）基片用途：用作半導(dǎo)體材料，大功率晶體管，整流器，太陽能電池等。 ...

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