摻釔氧化鋯(YSZ)單晶基片，氧化鋯單晶是ZrO2中摻入釔（Y）以穩(wěn)定其結(jié)構(gòu)，是最早應(yīng)用于高溫超導(dǎo)薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機械和化學(xué)穩(wěn)定性好、成本低的特點。由于氧化鋯材料具有高硬度，高強度，高韌性，極高的耐磨性及耐化學(xué)腐蝕性等等優(yōu)良的物化性能，氧化鋯已經(jīng)在陶瓷、耐火材料、機械、電子、光學(xué)、航空航天、生物、化學(xué)等等各種領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。
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晶體結(jié)構(gòu)
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立方
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晶格常數(shù)
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a=5.147 Å
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熔點（℃）
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2700
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密度（g/cm3）
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6.0
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硬度
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8-8.5（mohs）
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純度
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99.99%
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熱膨脹系數(shù)（/℃）
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10.3×10-6
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介電常數(shù)
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ε=27
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生長方法
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弧熔法
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尺寸
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10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm |
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厚度
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0.5mm，1.0mm
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拋光
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單面或雙面
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晶向
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<001>±0.5º
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晶面定向精度:
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±0.5°
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邊緣定向精度:
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2°（特殊要求可達1°以內(nèi)）
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斜切晶片
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可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
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Ra:
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≤5Å（5µm×5µm）
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包裝
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100級潔凈袋，1000級超凈室
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