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半導(dǎo)體薄膜基片

砷化銦(InAs)單晶基片

產(chǎn)品簡述:

以 InAs 單晶為襯底可以生長 InAsSb/In-AsPSb,InNAsSb等異質(zhì)結(jié)材料,制作波長 2~14μm的紅外發(fā)光器件,用 InAs單晶襯底還可以外延生長AlGaSb超晶格結(jié)構(gòu)材料 ,制作中紅外量子級聯(lián)激光器。.這些紅外器件在氣體監(jiān)測、低損耗光纖通信等領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景.此外, InAs 單晶具有很高的電子遷移率 ,是一種制作 Hall 器件的理想材料。作為單晶襯底 , InAs 材料需要具備低的位錯密度、 良好的晶格完整性、 合適的電學(xué)參數(shù)和較高的均勻性. InP單晶材料的主要生長方法是傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)(LEC)。

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產(chǎn)品詳細(xì)
  以 InAs 單晶為襯底可以生長 InAsSb/In-AsPSb,InNAsSb等異質(zhì)結(jié)材料,制作波長 2~14μm的紅外發(fā)光器件,用 InAs單晶襯底還可以外延生長AlGaSb超晶格結(jié)構(gòu)材料 ,制作中紅外量子級聯(lián)激光器。.這些紅外器件在氣體監(jiān)測、低損耗光纖通信等領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景.此外, InAs 單晶具有很高的電子遷移率 ,是一種制作 Hall 器件的理想材料。作為單晶襯底 , InAs 材料需要具備低的位錯密度、 良好的晶格完整性、 合適的電學(xué)參數(shù)和較高的均勻性. InP單晶材料的主要生長方法是傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)(LEC)。
晶體
結(jié)構(gòu)
晶向
熔點
oC
密度
g/cm3
禁帶寬度
InAs
立方,
a=6.058 A
<100>
942
5.66
0.45

砷化銦(InAs)單晶基片主要性能參數(shù)

單晶
摻雜
導(dǎo)電類型
載流子濃度
cm-3
遷移率(cm2/V.s)
位錯密度(cm-2)
標(biāo)準(zhǔn)基片
InAs
本征
N     
     5*1016
2*104
<5*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
InAs
Sn
N
(5-20)*1017
>2000
<5*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
InAs
Zn
P
(1-20) *1017
100-300
<5*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
InAs
S
N
(1-10)*1017
>2000
<5*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm

尺寸(mm)
Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡(AFM)檢測報告
拋光
單面或雙面
包裝
100級潔凈袋,1000級超凈室
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關(guān)閉
13365870915 工作時間:9:00-18:00

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