GaSb單晶由于其晶格常數(shù)與帶系在 0.8~4.3um寬光譜范圍內(nèi)的各種三元和四元，III-V族化合物固熔體的晶格常數(shù)匹配，因為GaSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸?shù)募す馄骱吞綔y器，GaSb也被預(yù)見具有晶格限制遷移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潛在的應(yīng)用前景。GaS單晶材料的主要生長方法，包括傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)（LEC）、改進的LEC技術(shù)、移動加熱法/垂直梯度凝固技術(shù)（VGF）/垂直布里奇曼技術(shù)（VBG）等。
| 晶體 |
GaSb
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| 結(jié)構(gòu) |
立方
a=6.094A
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| 晶向 |
<100>
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| 熔點 | 712oC |
| 密度 |
5.53g/cm3
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| 禁帶寬度 |
0.67
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單晶
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摻雜
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導(dǎo)電類型
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載流子濃度
cm-3
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遷移率(cm2/V.s)
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位錯密度(cm-2)
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標準基片
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GaSb
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本征
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P
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(1-2)*1017
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600-700
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《1*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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GaSb
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Zn
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P
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(5-100)*1017
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200-500
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《1*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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GaSb
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Te
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N
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(1-20)´1017
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2000－3500
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《1*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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尺寸（mm）
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Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
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表面粗糙度
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Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報告 |
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拋光
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單面或雙面
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包裝
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100級潔凈袋，1000級超凈室
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