| 材料 | 砷化鎵（GaAs） |
| 結(jié)構(gòu) | 立方 |
| 晶向 | <100> |
| 熔點oC | 1238 |
| 密度g/cm3 |
5.31
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| 禁帶寬度 |
1.424
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| 單晶 | 摻雜 |
導(dǎo)電類型 |
載流子濃度cm-3 | 位錯密度cm-2 | 生長方法 | 標(biāo)準(zhǔn)基片（mm） | |
| GaAs |
Si
undoped |
N |
>5×1017 | <5×105 |
VGF
VB |
Dia2″×0.35mm
Dia3"x0.35mm Dia100×0.65mm |
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晶向 |
(100) 0°±0.5°,<111> (100) 2°±0.5°off toward <111>A (100)15°±0.5°off toward <111>A |
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尺寸（mm） |
25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm 可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底 |
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表面粗糙度 |
Surface roughness(Ra):<=5A |
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拋光 |
單面或雙面 |
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包裝 |
100級潔凈袋，1000級超凈室 |
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